Институт автоматики и процессов управления


Институт автоматики и процессов управления с Вычислительным центром ДВНЦ СО АН СССР создан 1 июня 1971 года на основании постановления Президиума Академии наук СССР № 383 от 20 мая 1971 года базе Отдела технической кибернетики Дальневосточного филиала СО АН СССР и Объединенного вычислительного центра вузов г. Владивостока.

Постановлением Президиума Российской академии наук от 13 декабря 2011 года №262 изменены тип и наименование Института на Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук.

В соответствии с Федеральным законом от 27 сентября 2013 года № 253-ФЗ «О Российской академии наук, реорганизации государственных академий наук и внесении изменений в отдельные законодательные акты Российской Федерации» и распоряжением Правительства Российской Федерации от 30 декабря 2013 г. № 2591-р Институт передан в ведение Федерального агентства научных организаций (ФАНО России).

В настоящее время в Институте работает более 270 сотрудников, из которых 2 академика, 3 члена-корреспондента, более 30 докторов наук и около 80 кандидатов наук.

Новости


Поздравление от директора Института



состоится общее собрание сотрудников Института, посвященное Дню Российской науки



объявляет конкурсы на замещение вакантных должностей



акция Совета молодых ученых ДВО РАН, приуроченная ко Дню Российской науки



17 января 2017 г. (вторник) в 10-00


все новости

Последние публикации

А. П. Леонтьев, И. О. Ярощук, С. В. Смирнов, А. В. Кошелева, А. А. Пивоваров, А. Н. Самченко, А. Н. Швырев : Пространственно-распределенный измерительный комплекс для мониторинга гидрофизических процессов на океаническом шельфе // Приборы и техника эксперимента. 2017. № 1. С. 128-135. DOI: 10.7868/S0032816216060227

Подробнее »


N.V. Denisov, A.V. Matetskiy, A.V. Tupkalo, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Growth of layered superconductor β-PdBi2 films using molecular beam epitaxy. Applied Surface Science, 2017, Vol. 401, P. 142-145.

Подробнее »


D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, S.V. Eremeev, A.N. Mihalyuk, J.P. Chou, C.M. Wei, A.V. Zotov, A.A. Saranin. 2D Tl-Pb compounds on Ge(111) surface: atomic arrangement and electronic band structure. J.Phys.: Condens.Matter, 2017, Vol. 29, No.3, P.035001-9.

Подробнее »


D.A. Olyanich, V.V. Mararov, T.V. Utas, A.V. Zotov, A.A. Saranin. C70 self-assembly on In- and Tl-adsorbed Si(111)V3xV3-Au surfaces: Effect of non-spherical fullerene shape. Surface Science, 2017, V. 656 P. 1-6.

Подробнее »


A.N. Mihalyuk, C.R. Hsing, C.M. Wei, D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, A.V. Zotov, A.A. Saranin. One-atom-layer 4×4 compound in (Tl, Pb)/Si(111) system. Surface Science, 2017, V. 657 P. 63-68.

Подробнее »