Институт автоматики и процессов управления


Институт автоматики и процессов управления с Вычислительным центром ДВНЦ СО АН СССР создан 1 июня 1971 года на основании постановления Президиума Академии наук СССР № 383 от 20 мая 1971 года базе Отдела технической кибернетики Дальневосточного филиала СО АН СССР и Объединенного вычислительного центра вузов г. Владивостока.

Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук переименован в Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения РАН в соответствии с постановлением Президиума Российской академии наук от 18 декабря 2007 г. № 274.

Постановлением Президиума Российской академии наук от 13 декабря 2011 г. № 262 изменен тип и наименование Института с Учреждения Российской академии наук Института автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения РАН на Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук.

В соответствии с Федеральным законом от  27 сентября 2013 г.    № 253-ФЗ «О Российской академии наук, реорганизации государственных академий наук и внесении изменений в отдельные законодательные акты Российской Федерации» и распоряжением Правительства Российской Федерации от 30 декабря 2013 г. № 2591-р Институт передан в ведение Федерального агентства научных организаций (ФАНО России).

В настоящее время в Институте работает более 270 сотрудников, из которых 2 академика, 1 член-корреспондент, более 30 докторов наук и около 80 кандидатов наук.

Новости


новый состав профкома и комиссий, отчеты председателя профкома и доклад ревизионной комиссии размещены на сайте Института



результаты голосования по составу Ученого совета Института





19 мая 2016 года в 11-00 в актовом зале



17 мая 2016 года в 10 часов


все новости

Последние публикации

N.V. Denisov, A.A. Alekseev, O.A. Utas, S.G. Azatyan, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Bismuth–indium two-dimensional compounds on Si(111) surface. Surface Science, 2016, Vol.651, P.105-111

Подробнее »


Н.И. Солин, Л.Н. Ромашев, С.В. Наумов, А.А. Саранин, А.В. Зотов, Д.А. Олянич, В.Г. Котляр, О.А. Утас. Магниторезистивные свойства наноструктурированных магнитных металлов, манганитов и магнитных полупроводников. ЖТФ, 2016, Т. 86, вып. 2, С. 78-84.

Подробнее »


Жданова О.Л., Фрисман Е.Я. Математическое моделирование механизма дифференциации репродуктивных стратегий в естественных популяциях (на примере песцов, Alopex lagopus) // Компьютерные исследования и моделирование, 2016 Т. 8 № 2 С. 213−228.

Подробнее »


A.N. Mihalyuk, A.A. Alekseev, C.R. Hsing, C.M. Wei, D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.V. Matetskiy, A.Y. Tupchaya, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Low-temperature one-atom-layer V7xV7-In phase on Si(111). Surface Science, 2016, Vol.649, P. 14-19.

Подробнее »


D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.V. Matetskiy, A.N. Mihalyuk, A.Y. Tupchaya, O.A. Utas, S.V. Eremeev, C.-R. Hsing, J.-P. Chou, C.-M. Wei, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Synthesis of two-dimensional TlxBi1-x compounds and Archimedean encoding of their atomic structure. Scientific Reports, 2016, Vol.6, Article number:19446 | doi:10.1038/srep19446, 9 P.

Подробнее »